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J-GLOBAL ID：201602216811010472   整理番号：16A0019272

反射率変化観測と変化率イメージングによるパワーMOSFETの動作解析

Observation of Power MOSFET under UIS avalanche breakdown condition using thermoreflectance image mapping

著者 (4件)： 遠藤幸一 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  遠藤幸一 (大阪大 大学院情報科学研究科) ,  中村共則 (浜松ホトニクス) ,  中前幸治 (大阪大 大学院情報科学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 313(R2015 56-60)  ページ： 11-16  発行年： 2015年11月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 誘導負荷スイッチング(UIS)条件にあるパワー用MOSFETの表面の温度変化の観測を行った。測定装置としては光学プローブ熱反射率イメージマッピング(OPTIM),これはEOFM(Electro-Optical周波数マッピング)を利用している。OPTIMはパワーデバイスの反射率の変化およびその分布を測定できることを確認した。さらに変化率変動分布もロックインサーモグラフィ(LIT)よりも詳細に観測できた。(著者抄録)

シソーラス用語： *画像処理 ,  *MOSFET ,  *動作分析 ,  負荷 ,  スイッチング ,  温度変動 ,  光プローブ ,  熱反射率 ,  *計測 ,  サーモグラフィー
準シソーラス用語： *パワーMOSFET ,  ロックインサーモグラフィー ,  *反射率測定 ,  誘導負荷

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反射率 ,  観測 ,  変化率 ,  イメージング ,  パワーMOSFET ,  動作解析