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J-GLOBAL ID：201602217009800531   整理番号：16A0514333

テラヘルツ帯差周波発生に適した結合共振器構造による二波長面発光レーザの作製

Two-Color VCSELs Based on a Coupled Multilayer Cavity for Novel Terahertz Emission Devices

著者 (5件)： 太田寛人 (徳島大 大学院 フロンティア研究セ) ,  LU Xiangmeng (徳島大 大学院 フロンティア研究セ) ,  熊谷直人 (徳島大 大学院 フロンティア研究セ) ,  北田貴弘 (徳島大 大学院 フロンティア研究セ) ,  井須俊郎 (徳島大 大学院 フロンティア研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 52(LQE2016 1-18)  ページ： 67-72  発行年： 2016年05月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電流注入により室温で動作するテラヘルツ波発生素子を目指して,半導体多層膜結合共振器構造を用いた面発光型の二波長レーザの作製を行った。提案する素子は結合共振器構造による近赤外領域での二波長発振と同時にその素子内部での二次非線形光学効果によりテラヘルツ帯差周波発生を動作原理とする。今回は,活性層にInGaAs量子井戸を用いた結合共振器構造を分子線エピタキシー成長とウエハ貼りあわせによって作製し,電流注入によって室温で近赤外領域でのレーザ発振が得られたことを報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *面発光レーザ ,  *光共振器 ,  *光混合 ,  近赤外線 ,  非線形光学 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  量子井戸 ,  MBE成長 ,  接合【生殖】
準シソーラス用語： InGaAs ,  ウエハ接合 ,  近赤外 ,  *結合共振器 ,  *差周波発生 ,  非線形光学効果 ,  分子線エピタクシー

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： テラヘルツ ,  差周波発生 ,  結合共振器 ,  波長 ,  面発光レーザ ,  作製