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J-GLOBAL ID：201602218888519405   整理番号：16A0836143

Siウエハ上のPb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃エピタキシャル薄膜の化学溶液堆積法を用いた合成と電気的性質

Synthesis and electrical properties of Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃ epitaxial thin films on Si wafers using chemical solution deposition

著者 (6件)： Arai Takashi (Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, Japan) ,  Ohno Tomoya (Department of Materials Science, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-cho, Kitami 090-8507, Japan) ,  Matsuda Takeshi (Department of Materials Science, Kitami Institute of Technology, 165 Kouen-cho, Kitami 090-8507, Japan) ,  Sakamoto Naonori (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, Japan) ,  Wakiya Naoki (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, Japan) ,  Suzuki Hisao (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu, Shizuoka 432-8561, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 603  ページ： 97-102  発行年： 2016年03月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コンデンサ,圧電アクチュエータ,センサ,光学素子への応用からPb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃(PMN-PT)が大きく注目されている。これらの応用にはSiウエハ上に成長させたエピタキシャル成長させたPMN-PT薄膜が必要である。本論文では,LSCO/CeO₂/YSZ緩衝したSi基板上に化学溶液堆積法を用いてPMN-PT薄膜をエピタキシャル成長させた。高品質のバッファ層はPMN-PT薄膜の化学溶液堆積法によるエピタキシャル成長を可能にする。厚みが170nmの超薄膜にも係わらず,得られたPMN-PT薄膜は1400の高誘電率と十分に明確なP-Eヒステリシスループなどの良好な電気的性質を示した。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *エピタクシー ,  溶液成長 ,  ニオブ酸塩 ,  マグネシウム化合物 ,  鉛化合物 ,  曲線 ,  バッファ層 ,  *圧電気 ,  リラクサ ,  強誘電体 ,  *誘電体薄膜
準シソーラス用語： 化学溶液堆積 ,  ニオブ酸マグネシウム鉛 ,  ヒステリシスループ ,  *強誘電体薄膜

著者キーワード (6件)： Epitaxial growth ,  Thin film ,  Chemical solution deposition ,  PMN-PT ,  Piezoelectricity ,  Relaxor ferroelectrics

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： Siウエハ ,  Pb ,  O3 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  化学溶液堆積法 ,  電気的性質