文献

J-GLOBAL ID：201602218916512263   整理番号：16A0020425

非冷却の熱電赤外検出器用のその場作製ポリシリコンナノワイヤの熱伝導率の特性評価

THERMAL CONDUCTIVITY CHARACTERIZATION OF IN-SITU FABRICATED POLYSILICON NANOWIRES FOR UNCOOLED THERMOELECTRIC INFRARED DETECTORS

著者 (5件)： MODARRES-ZADEH Mohammad J (Univ. Central Florida, FL, USA) ,  AKHTER Nahida (Intel Corp., USA) ,  HELLMER Ronald (Amethyst Res. Inc., OK, USA) ,  ARAGON Michael (Amethyst Res. Inc., OK, USA) ,  ABDOLVAND Reza (Univ. Central Florida, FL, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9467  ページ： 946730.1-946730.7  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリシリコンの熱伝導率にワイヤ寸法と様々な蒸着パラメータが及ぼす影響を調べた。ナノワイヤは電子ビームリソグラフィーを使って,低圧化学蒸着ポリシリコン薄層のパターニングにより作成した。蛇行形状のナノワイヤを2個の熱絶縁した膜の間に形成して,アームを通した大きい量の熱損失がナノワイヤを通るようにして正確な測定が行えるようにし,またワイヤの蛇行形状によって,構造完全性が改善された。ポリシリコンの熱伝導率を初めて測定し,断面が60nm×100nmのナノワイヤに対して,熱伝導率として~3.5W/m・Kの値を得た。これはバルク値~30W/m・Kの10分の1である。

シソーラス用語： 赤外検出器 ,  電子ビームリソグラフィー ,  ポリシリコン ,  ナノワイヤ ,  *熱伝導率 ,  *LPCVD ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *シリコンナノワイヤ

分類 (2件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 赤外検出器 ,  作製 ,  シリコンナノワイヤ ,  熱伝導率 ,  特性評価