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J-GLOBAL ID：201602219025972120   整理番号：16A0283954

RFスパッタ法を用いたIGZO薄膜の作製とTFT応用

著者 (7件)： 高橋崇典 (National Inst. of Technol., Tsuruoka Coll.) ,  門脇圭佑 (National Inst. of Technol., Tsuruoka Coll.) ,  佐藤智也 (National Inst. of Technol., Tsuruoka Coll.) ,  井上貴明 (National Inst. of Technol., Tsuruoka Coll.) ,  熊谷佳郎 (National Inst. of Technol., Tsuruoka Coll.) ,  宝賀剛 (National Inst. of Technol., Tsuruoka Coll.) ,  内山潔 (National Inst. of Technol., Tsuruoka Coll.)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.22A-P5-13  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  *RFスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *薄膜トランジスタ ,  電流電圧特性 ,  特性 ,  キャリア移動度 ,  電圧 ,  比率 ,  半導体薄膜 ,  薄膜成長 ,  伝達特性 ,  電界効果移動度 ,  閾値電圧 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  オンオフ比

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： RFスパッタ法 ,  IGZO ,  薄膜 ,  作製 ,  TFT ,  応用