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J-GLOBAL ID：201602221692171923   整理番号：16A1277491

表面活性化接合法に基づいてSiCウェハ接合

Direct bonding of SiC by modified suface activated bonding method

著者 (3件)： SUGA T. (Univ. Tokyo) ,  MU F. (Univ. Tokyo) ,  FUJINO M. (Univ. Tokyo)
資料名： マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集  (エレクトロニクス実装学会秋季大会論文集)
巻： 24th  ページ： 175-178  発行年： 2014年09月04日 
JST資料番号： X0060A  ISSN： 2434-396X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *接合【生殖】 ,  *炭化ケイ素 ,  *活性化 ,  超高真空 ,  層 ,  化学機械研磨 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  CMP【化学研磨】 ,  *SiC ,  *ウエハ接合 ,  ダイレクト接合 ,  接着層 ,  *表面活性化

分類 (2件)： 接着  (WC07020V) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 表面活性化接合 ,  SiC ,  ウェハ