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J-GLOBAL ID:201602223170853002   整理番号:16A1305809

新しいRF-HySIC半導体集積回路の黎明期:Siと化合物半導体からなるハイブリッッドICのイニシアティブ

The Dawn of the New RF-HySIC Semiconductor Integrated Circuits: An Initiative for Hybrid ICs Consisting of Si and Compound Semiconductors
著者 (2件):
資料名:
巻: E99.C  号: 10  ページ: 1085-1093(J-STAGE)  発行年: 2016年 
JST資料番号: U0468A  ISSN: 1745-1353  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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本稿では,ハイブリド半導体集積回路(HySICs)の概念,最先端技術,将来の発展方向を記述した。それは,RF-CMOS ICと化合物半導体モノリシック集積回路(MMIC)を組合わせたものである。また,応用例として最新の無線技術を取り上げた。優れた機能を有するICが,種々の半導体からの最適な特性を混合することにより,設計されていることを示した。新しい半導体ICを実現するために,RF-HySICのためのいくつかの部品技術が,チップ/MMICの設計,測定,およびブレッドボードモデルの構築に関して導入されている。プロトタイプRF-HySICをGaNショットキー障壁ダイオードを5.8GHzで開発されたSi RF-IC整合ネットワークと組合せに対して記述した。GaNダイオード構成,非線形デバイスの測定および特性化,GaN増幅器,およびGaAs MMIC部品を技術として導入した。さらに,1.2mm×2,3mmのサイズのRF-CMOS整合ネットワーク回路および高圧力条件にて室温チップ/ウエハの直接ボンディングを用いた設計を説明した。高度および自律ICのために,HySICおよびチップ/MMICトポロジーをプロセッサと組合わせて,HySICの無線センサシステム応用に提案した。(翻訳著者抄録)
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著者キーワード (4件):
分類 (1件):
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半導体集積回路 
引用文献 (18件):
  • [1] T. Kaho, Y. Yamaguchi, H. Shiba, M. Kawashima, H. Toshinaga, and K. Uehara, “A broadband low-noise wide dynamic range SiGe front-end receiver IC for multi-band access points,” Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings, APMC 6695115, pp.267-269, 2013.
  • [2] S. Yoshino, T. Kaho, H. Shiba, H. Toshinaga, T. Yamada, M. Kobayashi, and Y. Shirato, “Flexible wireless system for user-centric wireless home network,” NTT Technical Review, vol.11, no.3, pp.1-6, 2013.
  • [3] H.L. Krauss, C.W. Bostian, and F.H. Raab, Solid State Radio Engineering, John Wiley & Sons, New York, 1980.
  • [4] T. Kaho, Y. Yamaguchi, K. Nishikawa, I. Toyoda, and K. Uehara, “Ultra compact RFICs using three-dimensional MMIC technology,” IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest 5517752, pp.1304-1307, 2010.
  • [5] J.A. Taylor, Z.N. Low, J. Casanova, and J. Lin, “A wireless power station for laptop computers,” Proc. Radio Wireless Symp., pp.625-628, Jan. 2010.
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