文献

J-GLOBAL ID：201602226350811838   整理番号：16A0631018

自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS₂FETの作製

Self-Assembled Monolayer-based Gate Dielectrics for Low Voltage MoS₂ FET

著者 (2件)： 川那子高暢 (東京工大 科学技術創成研究院) ,  小田俊理 (東京工大 科学技術創成研究院)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 118(SDM2016 32-47)  ページ： 69-74  発行年： 2016年06月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS₂FETsについて報告する。ゲート絶縁膜は酸素プラズマによって形成したアルミニウム酸化膜とホスホン酸SAMの2層構造からなる。極薄膜厚かつ高い絶縁性を有する自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いることで,2V駆動のMoS₂FETsの作製に成功した。またI_d-V_g特性にヒステリシスは認められず,サブスレッショルドスロープも69mV/decであることから,良好な界面特性をMoS₂/SAM構造によって実現することに成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： *単分子層 ,  *絶縁膜 ,  *誘電体薄膜 ,  *駆動 ,  プラズマ ,  酸化アルミニウム ,  膜 ,  ホスホン酸 ,  多層膜 ,  電流電圧特性 ,  界面 ,  特性 ,  *硫化モリブデン ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *自己組織化単分子膜 ,  *低電圧駆動 ,  酸素プラズマ ,  SAM【単分子層】 ,  二層構造 ,  界面特性 ,  二硫化モリブデン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己組織化単分子膜 ,  ゲート絶縁膜 ,  低電圧駆動 ,  作製