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J-GLOBAL ID：201602229354955487   整理番号：16A1054316

インシツ表面X線散乱による水素アンダーポテンシャル析出と表面酸化物形成間の電位範囲でのPt(111)単結晶電極/硫酸および過塩素酸界面での電位-依存構造および電位-誘起構造変化

Potential-Dependent Structures and Potential-Induced Structure Changes at Pt(111) Single-Crystal Electrode/Sulfuric and Perchloric Acid Interfaces in the Potential Region between Hydrogen Underpotential Deposition and Surface Oxide Formation by In Situ Surface X-ray Scattering

著者 (7件)： KONDO Toshihiro (Ochanomizu Univ., Tokyo, JPN) ,  KONDO Toshihiro (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN) ,  MASUDA Takuya (Ochanomizu Univ., Tokyo, JPN) ,  MASUDA Takuya (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN) ,  AOKI Nana (Ochanomizu Univ., Tokyo, JPN) ,  AOKI Nana (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN) ,  UOSAKI Kohei (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba, JPN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 120  号： 29  ページ： 16118-16131  発行年： 2016年07月28日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インシツ表面X線散乱および表面X線回折測定によって,水素アンダーポテンシャル析出(I,0.22V対RHE)と表面酸化物が形成される電位(II,0.95V)間での,Pt(111)単結晶電極/硫酸(0.05M)および過塩素酸(0.1M)界面の構造について調べた。Iでは,H₂の吸着に伴ってPtの第一および第二外部層で層間距離が広がること,0.39Vでは析出した水素は完全に脱離すること,IIでは過塩素酸の場合は吸着OH/H₂O/H₃O⁺などが,硫酸中の場合はSO₄^2-/HSO₄^-/H₂O/H₃O⁺などが,Pt(111)-(1×1)のアトップサイトに吸着した単分子層が形成されて,Pt表面の第一および第二外部層での層間距離が広がること,表面の広がりは水素の脱離や吸着分子の存在によって緩和されていることなどが分かった。

シソーラス用語： *X線回折 ,  *X線散乱 ,  *白金電極 ,  *単結晶 ,  *硫酸 ,  *過塩素酸 ,  *表面構造 ,  *電極電位 ,  *アンダポテンシャル電着 ,  *依存性 ,  水素 ,  吸着 ,  層間隔 ,  化学種 ,  *白金 ,  *結晶方位
準シソーラス用語： in situ実験 ,  *Pt(111) ,  *界面構造 ,  吸着種 ,  *電位依存性 ,  *表面X線回折

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  電気化学一般  (CB07010N)

タイトルに関連する用語 (12件)： X線散乱 ,  水素 ,  アンダーポテンシャル析出 ,  酸化物 ,  電位 ,  Pt ,  単結晶 ,  硫酸 ,  過塩素酸 ,  界面 ,  誘起 ,  構造変化