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J-GLOBAL ID：201602231808020864   整理番号：16A0930068

Schottkyトンネル接触を使ったn⁺-Ge中の電気スピン注入と検出

Electrical spin injection and detection in n⁺-Ge using Schottky tunnel contacts

著者 (6件)： FUJITA Yuichi (Osaka Univ.) ,  YAMADA Michihiro (Osaka Univ.) ,  YAMADA Shinya (Osaka Univ.) ,  KANASHIMA Takeshi (Osaka Univ.) ,  SAWANO Kentarou (Tokyo City Univ.) ,  HAMAYA Kohei (Osaka Univ.)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.14a-C41-4  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： N型半導体 ,  *ゲルマニウム ,  *強磁性体 ,  *Schottky障壁 ,  *トンネル効果 ,  *注入 ,  *スピン分極 ,  半導体金属接合 ,  効果 ,  *コバルト合金 ,  鉄含有合金 ,  ケイ素含有合金 ,  アルミニウム含有合金 ,  *素子構造 ,  金属間化合物 ,  *検出
準シソーラス用語： *スピン注入 ,  Hanle効果 ,  *スピンバルブ ,  *スピン検出

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  その他の接合  (BM03088W) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (3件)： トンネル ,  Ge ,  スピン注入