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J-GLOBAL ID：201602235289110194   整理番号：16A0610895

長波長InPベーストランジスタレーザの活性領域のドーピング【Powered by NICT】

Doping of Active Region in Long Wavelength InP-Based Transistor Lasers

著者 (4件)： Qiao Lijun (Key Laboratory of Semiconductor Material Sciences, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liang Song (Key Laboratory of Semiconductor Material Sciences, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhu Hongliang (Key Laboratory of Semiconductor Material Sciences, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Wei (Key Laboratory of Semiconductor Material Sciences, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Photonics Journal  (IEEE Photonics Journal)
巻： 8  号： 3  ページ： ROMBUNNO.2300108.1-8  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2436A  ISSN： 1943-0655  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP系長波長深いリッジトランジスタレーザ(TL)の特性に及ぼす多重量子井戸(MQW)活性領域のドーピングの効果を数値的に調べた。MQWにおけるドーピングはTLの設計を容易にするための有用なツールをスロープ効率の減少とTLの電流利得,MQWドーピングをの顕著な増加をもたらすことを示した。TLの露出したMQW側壁に非放射再結合中心である場合,MQWにおけるドーピングはしきい値電流を低減し,電流利得を大きく増加することによってTLの性能を高めることができることが分かった。MQWのドーピングにより,キャリア拡散係数は減少し,キャリアを消費における欠陥の有効性は低下している。結果は多重量子井戸のドーピングは高品質TLを得るために役立つことが分かった。深いリッジ構造が必要である場合にもドーピングから生じる減少したキャリア拡散は正常ダイオードレーザの品質を改善するのに役立った。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 品質 ,  多重量子井戸 ,  *リン化インジウム ,  キャリア拡散 ,  キャリア ,  半導体レーザ ,  拡散係数 ,  *活性部位
準シソーラス用語： 高品質 ,  閾値電流 ,  非放射再結合 ,  電流利得 ,  スロープ効率 ,  *長波長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 音声処理  (JE05000E) ,  信号理論  (ND02020G) ,  計算機網  (JC03000K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 長波 ,  InP ,  トランジスタレーザ ,  活性領域 ,  ドーピング