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J-GLOBAL ID：201602243907755095   整理番号：16A1073935

スイッチングのための微細制御電気パルスを用いたGe₂Sb₂Te₅薄膜の相変化挙動のキャラクタリゼーション

Characterization of phase-change behavior of a Ge₂Sb₂Te₅ thin film using finely controlled electrical pulses for switching

著者 (3件)： LEE Hyun Cheol (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  JEONG Jin Hwan (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Doo Jin (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 31  号： 9  ページ： 095006,1-8  発行年： 2016年09月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *相転移 ,  *スイッチング ,  *パルス ,  *ゲルマニウム化合物 ,  アンチモン化物 ,  テルル化物 ,  半導体薄膜 ,  パルス特性 ,  電気的性質
準シソーラス用語： *相変化メモリ ,  *電気パルス

分類 (4件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固相転移  (BL04020G) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： スイッチング ,  微細 ,  電気パルス ,  薄膜 ,  相変化 ,  挙動 ,  キャラクタリゼーション