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J-GLOBAL ID：201602249626766387   整理番号：16A1108230

EIDECにおけるHSFET(高開口数小型フィールド露光ツール)の現状

Current Development Status of HSFET (High NA Small Field Exposure Tool) in EIDEC

著者 (9件)： TANAKA Satoshi (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Tsukuba, JPN) ,  MAGOSHI Shunko (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Tsukuba, JPN) ,  KAWAI Hidemi (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Tsukuba, JPN) ,  INOUE Soichi (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc., Tsukuba, JPN) ,  ROSENTHAL Wylie (Zygo Corp., CA, USA) ,  GIRARD Luc (Zygo Corp., CA, USA) ,  MARCHETTI Lou (Zygo Corp., CA, USA) ,  KESTNER Bob (Zygo Corp., CA, USA) ,  KINCADE John (Zygo Corp., CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9776  ページ： 97761N.1-97761N.15  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EIDECでは,高開口数(NA)の小型フィールド露光ツール(HSFET)を開発した。HSFETは,次世代リソグラフィ用の極端紫外(EUV)露光ツールである。HSFETの基本構成や動作特性について報告した。XeのDPP光源,クリティカル照明系,開口を有する回転移動タレット,可変NA駆動系などを利用して,HSFETを構築した。可変NA駆動系では,30×200μmより大きいフィールドサイズと0.3~0.5のNAを実現した。光学性能は,要求される11nmハーフピッチのパターニングによく適合した。透過光の波面誤差は0.29nm RMSと測定され,要求値よりはるかに小さいことが確認された。HSFETパターニング用に設計されたレチクルは,高NA効果のために高い印刷性能を示した。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  真空紫外線 ,  *露光 ,  小型 ,  レチクル ,  極端紫外線 ,  開口数 ,  光源 ,  長さ ,  回路パターン形成 ,  波面収差 ,  EUV光源 ,  高開口数 ,  マスク
準シソーラス用語： EUVリソグラフィー ,  *UV露光 ,  クリティカルディメンジョン ,  パターンニング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高開口数 ,  フィールド ,  露光 ,  ツール ,  現状