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J-GLOBAL ID：201602250258647825   整理番号：16A1362100

厚さ依存低温固相結晶化による絶縁体上Snドープ多結晶Ge膜の高キャリア移動度

High carrier mobility of Sn-doped polycrystalline-Ge films on insulators by thickness-dependent low-temperature solid-phase crystallization

著者 (5件)： Sadoh Taizoh (Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Kai Yuki (Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Matsumura Ryo (Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Moto Kenta (Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Miyao Masanobu (Department of Electronics, Kyushu University, 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 109  号： 23  ページ： 232106-232106-5  発行年： 2016年12月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *ゲルマニウム ,  *素子構造 ,  *キャリア移動度 ,  ゲルマニウム合金 ,  スズ合金 ,  非晶質 ,  *結晶化 ,  濃度 ,  依存性 ,  結晶粒径 ,  散乱 ,  膜厚依存性
準シソーラス用語： *GOI構造 ,  *固相結晶化 ,  結晶粒サイズ

分類 (5件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (9件)： 低温 ,  固相 ,  結晶化 ,  絶縁体 ,  Sn ,  ドープ ,  多結晶 ,  Ge ,  キャリア移動度