Reddy V. Rajagopal について
Department of Physics, Sri Venkateswara University, Tirupati, India について
Asha B. について
Department of Physics, Sri Venkateswara University, Tirupati, India について
Choi Chel-Jong について
School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center (SPRC), Chonbuk National University, Jeonju, Republic of Korea について
Journal of Electronic Materials について
イットリウム について
窒化ガリウム について
Schottky障壁ダイオード について
電気特性 について
輸送現象 について
電流 について
焼なまし について
接触 について
Schottky障壁 について
表面準位 について
Poole-Frenkel効果 について
GaN について
Schottky接触 について
アニール処理 について
界面準位 について
電流輸送 について
Yttrium Schottky contacts について
p-GaN について
electrical properties について
annealing について
interface state density について
current transport mechanisms について
ダイオード について
GaN について
Schottkyダイオード について
電気特性 について
電流輸送 について
メカニズム について
アニーリング について