文献

J-GLOBAL ID：201602258229319889   整理番号：16A1402437

国際宇宙ステーション搭載の液相線移動法によるSi_0.5Ge_0.5結晶成長時の温度勾配効果

Effects of temperature gradient in the growth of Si_0.5Ge_0.5 crystals by the traveling liquidus-zone method on board the International Space Station

著者 (6件)： Kinoshita K. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, Japan) ,  Arai Y. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, Japan) ,  Inatomi Y. (Japan Aerospace Exploration Agency, 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, Japan) ,  Tsukada T. (Tohoku University, 6-6-07 Aramaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Miyata H. (Advanced Engineering Services Co. Ltd, 1-6-1, Takezono, Tsukuba, Japan) ,  Tanaka R. (Advanced Engineering Services Co. Ltd, 1-6-1, Takezono, Tsukuba, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 455  ページ： 49-54  発行年： 2016年12月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si_0.5Ge_0.5結晶を,国際宇宙ステーション搭載の融帯移動(TLZ)法を用いて,2つの異なる温度勾配で育成した。そして,結晶品質に及ぼす温度勾配の効果を調査した。軸方向の平均的Ge濃度分布は温度勾配に影響を受けなかったが,結晶品質は大きく影響を受けた。単結晶の長さは短く,組成的過冷却(CS)は高い温度勾配ほど容易に発生することが明らかになった。融液中の溶質濃度分布と相図データに基づいたCS度合いの計算値は,温度勾配が2倍になると,約4倍大きくなり,これは実験結果を裏付けた。高い温度勾配での不安定性は,TLZ法に特有なものであり,他の結晶成長法,例えば,方向性凝固法とCzochralski法に共通しているものではなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *温度勾配 ,  宇宙ステーション ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *固溶体 ,  *濃度分布 ,  半導体 ,  状態図 ,  *過冷却 ,  *液相成長 ,  *無重量
準シソーラス用語： 液相線移動法 ,  無重力

著者キーワード (5件)： A1. Diffusion ,  A1. Convection ,  A2. Growth from solution ,  A2. Traveling solvent zone growth ,  B1. Germanium silicon alloys

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 宇宙ステーション ,  液相線 ,  結晶成長 ,  温度勾配