文献

J-GLOBAL ID：201602260952549035   整理番号：16A1081046

SiC/GaNパワー半導体の現状と展開 MOCVD法を用いたSi基板上GaN系パワーデバイス

GaN-Based Power Device on Si Grown by MOCVD

著者 (1件)： 江川孝志 (名古屋工大 極微デバイス次世代材料研究セ)
資料名： まぐね  (Magnetics Japan)
巻： 11  号： 5  ページ： 260-263  発行年： 2016年10月01日 
JST資料番号： L5842A  ISSN： 1880-7208  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高品質でしかも安価なSi単結晶のウエハ上に中間層を持つヘテロエピタキシャルは法によりSiC膜を形成し,パワーデバイスへの応用を検討した。Si上に形成したAlGaN/GaNは,高耐圧低オン抵抗のパワーデバイスとして期待できるほか,ヘテロ界面に形成される高い移動度を持つ二次元電子ガスによる高速スイッチングデバイスとしても期待できる。

シソーラス用語： *パワーエレクトロニクス ,  電力トランジスタ ,  *ウエハ【IC】 ,  エピタクシー ,  *ヘテロ接合 ,  スイッチング素子 ,  電圧 ,  耐電圧 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： パワー半導体 ,  Si基板 ,  エピタキシャル成長 ,  スイッチングデバイス

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (8件)：

• W. Saito et al.: Solid State Electron., 48, 1555 (2004).
• 高橋 清(監修):ワイドギャップ半導体光・電子デバイス,p.3(森北出版,2006)
• S. L. Selvaraj et al.: Appl. Phys. Lett., 90, 173506-1 (2007).
• T. Egawa et al.: IEEE Electron Device Lett., 26, 169 (2005).
• M. Akiyama et al.: Jpn. J. Appl. Phys., 23, L843 (1984).

タイトルに関連する用語 (8件)： SiC ,  GaN ,  パワー半導体 ,  現状 ,  展開 ,  MOCVD ,  Si基板 ,  パワーデバイス