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J-GLOBAL ID：201602262716949726   整理番号：16A0753957

水素プラズマエッチングによって視覚化したヘテロエピタキシャル・ダイヤモンドの転位

Dislocation in heteroepitaxial diamond visualized by hydrogen plasma etching

著者 (4件)： Ichikawa K. (Department of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin University, Sagamihara 229-0206, Japan) ,  Kodama H. (Department of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin University, Sagamihara 229-0206, Japan) ,  Suzuki K. (TOPLAS ENGINEERING Co., Ltd., Chofu, Tokyo 182-0006, Japan) ,  Sawabe A. (Department of Electrical Engineering and Electronics, Aoyama Gakuin University, Sagamihara 229-0206, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 600  ページ： 142-145  発行年： 2016年02月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロエピタキシャル・ダイヤモンド上に水素プラズマエッチングによって形成したエッチピットの分類を,断面透過電子顕微鏡(TEM)で行った。エッチピットの発端が主に[001]スレッディング転位であることを実証した。TEM観察の転位コントラストの不可視性基準から,この転位はエッジと45°混合転位と確認された。転位タイプとエッチピット形間の相関関係を議論した。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： プラズマエッチング ,  水素 ,  可視化 ,  ヘテロエピタクシー ,  *ダイヤモンド ,  *透過型電子顕微鏡 ,  貫通転位 ,  相関

著者キーワード (6件)： Diamond ,  Heteroepitaxial growth ,  Chemical vapor deposition ,  Dislocation ,  Etch pit method ,  Transmission electron microscopy

分類 (1件)： 顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素プラズマ ,  エッチング ,  視覚化 ,  転位