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J-GLOBAL ID：201602263437274410   整理番号：16A0929322

RF-MBE法を用いたEu添加GaNナノコラムのV/III族供給比依存性

著者 (7件)： 今西智彦 (豊技大) ,  関口寛人 (豊技大) ,  尾崎耕平 (豊技大) ,  山根啓輔 (豊技大) ,  岡田浩 (豊技大) ,  岸野克巳 (上智大) ,  若原昭浩 (豊技大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.13p-A21-10  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ナノ構造 ,  *柱状晶 ,  *ユウロピウム ,  *ドーピング ,  *MBE成長 ,  *光ルミネセンス ,  可視発光スペクトル ,  *窒素 ,  流量 ,  高周波放電
準シソーラス用語： ナノコラム

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF-MBE ,  Eu ,  GaN ,  ナノコラム ,  III族 ,  依存性