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J-GLOBAL ID：201602263810316033   整理番号：16A0726626

酸性アモノサーマル法により成長させた高品質のバルクGaN結晶【Powered by NICT】

High quality bulk GaN crystal grown by acidic ammonothermal method

著者 (9件)： Bao Quanxi (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Japan) ,  Saito Makoto (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Japan) ,  Kurimoto Kouhei (The Japan Steel Works, Japan) ,  Tomida Daisuke (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Japan) ,  Kojima Kazunobu (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Japan) ,  Kagamitani Yuji (Mitsubishi Chemical Corp., Japan) ,  Kayano Rinzo (The Japan Steel Works, Japan) ,  Ishiguro Tohru (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Japan) ,  Chichibu Shigefusa F. (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸性アモノサーマル法は大きな直径のバルクGaN結晶の大量生産を可能にする最も有望な技術の一つである。最新の高出力発光ダイオードとレーザダイオードは,通常,水素化物気相エピタクシーによって成長させたGaN基板上に作製した。しかし,垂直導電性高出力GaNスイッチング素子を実現するために,湾曲自由大口径GaN基板が不可欠である,このようなデバイスのサイズは光学デバイスのそれよりもはるかに大きいためである。著者らのグループは,鉱化剤としてハロゲン化アンモニウムを用いた超臨界NH_3の特性を研究してきた,GaN成長に成功した。結晶品質と成長速度は鉱化剤種に強く依存した。も温度と圧力への依存性を調べ,最適成長条件における1000μm/日より速い成長速度が得られることを見出した。これらの研究と最適化に基づいて,100MPaでの圧力条件で高速バルクGaN成長の実証に成功した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  スイッチング素子 ,  *窒化ガリウム ,  最適化 ,  鉱化剤 ,  *酸性 ,  大口径 ,  高速度 ,  成長速度 ,  大量生産 ,  導電性 ,  結晶品質 ,  高出力 ,  *高品質 ,  改変
準シソーラス用語： *安熱合成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸性 ,  アモノサーマル法 ,  成長 ,  高品質 ,  バルク ,  GaN ,  結晶