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J-GLOBAL ID:201602264920334411   整理番号:16A0800262

大クラスタイオンビームによる低真空SIMS装置の開発

Development of Low-Vacuum SIMS Instruments with Large Cluster Ion Beam
著者 (8件):
資料名:
巻: 18  ページ: 26-29  発行年: 2016年07月 
JST資料番号: L6689A  ISSN: 1345-0700  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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Ar<sub>n</sub><sup>+</sup>(n>1000)などの大クラスタイオンは単量体イオンや他の小クラスタイオンよりも質量が大きいので優れた透過係数を有し,低真空でもSIMS測定のプローブとして利用できると思われる。本研究では,Arガスクラスタイオンビーム(Ar-GCIB)のスパッタリング特性を低真空下で調べた。クラスタイオンは80Paでも有機試料をスパッタできた。スパッタリング効率は80Paでは二桁低下したが,4nAのビーム電流でビーム集束(約20μm)が達成された(即ち,通常のAr-GCIB源よりも1~2桁高かった)。これらの結果から,低真空SIMS測定(<80Pa)が可能であると結論した。(翻訳著者抄録)
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