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J-GLOBAL ID：201602268216664573   整理番号：16A0630810

触媒反応支援CVD法による非極性ZnO結晶膜の成長

Non-polar ZnO film growth on r-plane sapphire substrate using high-temperature H₂O generated by a catalytic reaction

著者 (7件)： 田島諒一 (長岡技科大) ,  池田宗謙 (長岡技科大) ,  叶内慎吾 (長岡技科大) ,  大石耕一郎 (長岡工高専) ,  片桐裕則 (長岡工高専) ,  玉山泰宏 (長岡技科大) ,  安井寛治 (長岡技科大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 101(OME2016 18-26)  ページ： 13-17  発行年： 2016年06月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oを酸素源として用いたCVD法により,r面サファイア基板上への非極性ZnO膜成長を試みた。作製したZnO膜はAFM,X線回折,Hall効果測定により評価した。AFMによる表面構造の測定からc軸方向に長く伸びるストライプ構造が観測された。またX線回折では,(11-20)面のピークが支配的となり,a軸に沿って成長していることが窺われた。Hall効果測定では,非極性ZnOの移動度はa面サファイア上に成長したZnO膜の移動度に比べ小さな値となった。これはa面サファイア上の結晶膜に比べ結晶粒が小さくまた結晶方位の揺らぎが大きいためであると推測された。また電気伝導の異方性についても評価した。(著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜 ,  *非極性 ,  *化学蒸着 ,  触媒反応 ,  水分子 ,  基板 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線回折分析 ,  Hall効果 ,  構造 ,  結晶粒径 ,  導電性 ,  サファイア基板 ,  *ZnOフィルム
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  CVD法 ,  X線回折法 ,  *ZnO薄膜 ,  ストライプ構造 ,  *化学気相成長 ,  結晶粒サイズ ,  電気伝導特性

分類 (2件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  気相めっき  (WC08022K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 触媒反応 ,  支援 ,  CVD法 ,  非極性 ,  ZnO ,  結晶 ,  成長