文献

J-GLOBAL ID：201602269816129265   整理番号：16A0919257

歪分布を有する台形SiナノワイヤのX線回折曲線の分析

Analysis of X-ray diffraction curves of trapezoidal Si nanowires with a strain distribution

著者 (4件)： Takeuchi Teruaki (Research organization for Nano & Life innovation, Waseda University, 120-5, 513 Wasedatsurumaki-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 162-0041, Japan) ,  Tatsumura Kosuke (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Ohkubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-8555, Japan) ,  Shimura Takayoshi (Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 565-0871, Japan) ,  Ohdomari Iwao (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Ohkubo, Shinjuku-ku, Tokyo 169-8555, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 612  ページ： 116-121  発行年： 2016年08月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,X線運動学的処理を用いて,台形断面の歪分布を有する酸化したSiナノワイヤのX線回折曲線を分析した。歪分布及び断面形状を想定して,回折曲線の計算を実施し,実験曲線と比較した。計算した回折曲線は,全測定領域に亘って,実験の回折曲線を再現した。特に,干渉縞の最大値と最小値の計算した強度並びに位置は,実験曲線に一致した。また,計算は,ベースに対して平行な面が長いベースから遠くなるに従い,この面上の歪がより大きくなることを示していた。この結果は,歪分布及び断面形状の両方を想定してX線回折曲線を計算することにより実証された。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *歪分布 ,  *台形 ,  ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *X線回折 ,  *ロッキングカーブ ,  理論 ,  形態 ,  計算 ,  干渉縞 ,  強度 ,  位置
準シソーラス用語： Si ,  *ケイ素ナノワイヤ ,  *ロッキング曲線 ,  運動学的理論 ,  断面形状 ,  回折強度

著者キーワード (5件)： X-ray diffraction ,  Silicon ,  Nanowires ,  Strain distribution ,  Trapezoidal cross-section

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 歪分布 ,  台形 ,  Si ,  ナノワイヤ ,  X線 ,  分析