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J-GLOBAL ID：201602278219915973   整理番号：16A0627253

新しいフッ化Si前駆体ガス(SiF₄)を使用したSiC基板上のSiCホモエピタクシー,エッチングおよびグラフェンエピタキシャル成長

SiC Homoepitaxy, Etching and Graphene EpitaxialGrowth on SiC Substrates Using a Novel FluorinatedSi Precursor Gas (SiF4)

著者 (4件)： Rana Tawhid (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA) ,  Chandrashekhar M.V.S. (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA) ,  Daniels Kevin (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA) ,  Sudarshan Tangali (Department of Electrical Engineering, University of South Carolina, Columbia, SC, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 45  号： 4  ページ： 2019-2024  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テトラフルオロシラン(SiF₄またはTFS)は新しい前駆体ガスで,炭化ケイ素に関連するプロセスの三つの主要な作用,即ち,SiCエッチング,SiCエピタキシャル成長およびグラフェンエピタキシャル成長を行うことを示した。TFSはH₂雰囲気中で表面から効率的にSiを除去してSiC基板を激しくエッチングする。ここで,SiCエッチング速度はTFSガス濃度の関数である。このSiCエッチングプロセスにおいて,SiはTFSにより除かれ,CはH₂により除かれる。プロパンをH₂とTFSガス混合体中に加えると,エッチングが停止し,高品質SiCエピタクシーがSi飛沫フリー条件で起こる。TFSのSi除去性を利用することにより,また,不活性(Ar)雰囲気中で制御可能な方法でエピタキシャルグラフェンを成長させることができる。このとき,TFSはSiをSiC表面から選択的にエッチングすることによりグラフェン成長を増加させる。Copyright 2015 The Minerals, Metals & Materials Society Translated into Japanese from English by JST.

シソーラス用語： *前駆体 ,  *炭化ケイ素 ,  ホモエピタクシー ,  エッチング ,  グラフェン ,  エピタクシー ,  *フッ化ケイ素
準シソーラス用語： SiC ,  エピタキシャル成長

著者キーワード (6件)： Silicon carbide ,  etching ,  epitaxial growth ,  graphene ,  tetrafluorosilane ,  CVD

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  前駆体 ,  SiC基板 ,  SiC ,  ホモエピタクシー ,  エッチング ,  グラフェン ,  エピタキシャル成長