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J-GLOBAL ID：201602280144562153   整理番号：16A1273330

複合表面活性化接合(SAB)による3D集積化のための低温ウエハ接合

Combined Surface-Activated Bonding (SAB) Technology for Low-Temperature Wafer Bonding for 3D Integration

著者 (4件)： RAN He (東大 大学院工学系研究科) ,  FUJINO Masahisa (東大 大学院工学系研究科) ,  YAMAUCHI Akira (ボンドテック) ,  SUGA Tadatomo (東大 大学院工学系研究科)
資料名： マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集  (エレクトロニクス実装学会秋季大会論文集)
巻： 25th  ページ： 321-324  発行年： 2015年09月03日 
JST資料番号： X0060A  ISSN： 2434-396X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 活性化 ,  *接合【生殖】 ,  *集積 ,  界面 ,  接合部 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *ウエハ【IC】 ,  *シリコンウエハ ,  接合界面 ,  *生殖 ,  *有性生殖
準シソーラス用語： *3D集積化 ,  *ウエハ接合 ,  表面活性化

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 表面活性化接合 ,  SAB ,  3D集積化 ,  低温 ,  ウエハ接合