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J-GLOBAL ID:201602280578969658   整理番号:16A0388427

ラジカル増強原子層蒸着によるゲルマニウム基板上のゲルマニウム酸アルミニウムの形成における低エネルギーイオン照射の役割

Role of low-energy ion irradiation in the formation of an aluminum germanate layer on a germanium substrate by radical-enhanced atomic layer deposition
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巻: 34  号:ページ: 02D101-02D101-4  発行年: 2016年03月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ラジカル増強原子層蒸着では酸化物としてリモートマイクロ波誘起プラズマにより生成した酸素ラジカルを用いて,Ge基板上の交互供給のトリメチルアルミニウム前駆体と酸素ラジカルの表面反応を変えて,これによりゲルマニウム酸アルミニウム層の自発的形成が生じた。本論文では,酸素ラジカルと共にリモートマイクロ波プラズマから基板に供給された低エネルギーイオンが表面反応に呼ぼす影響を研究した。蒸着表面への制御されたイオンフラックス照射下での酸化アルミニウム蒸着の比較研究から,イオンはゲルマン酸アルミニウム層の形成を促進することを見出した。Langmuirプローブ法により基板位置で測定したプラズマ電位は5.4Vであった。基板表面に達するイオンの運動エネルギーは,このプラズマ電位により得たエネルギーに匹敵すると仮定して,その様なイオンは,基板に著しい損傷を与えないで,表面吸着Al原子と下地Ge原子と交換反応を誘起するのに十分なエネルギーを持つ。このAlとGe原子とのイオン誘起交換反応は,ラジカル増強原子層蒸着によるゲルマン酸アルミニウム形成の背景動力学と推定する。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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