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J-GLOBAL ID：201602282251228202   整理番号：16A0941568

高圧水蒸気処理による高誘電体膜SrTa₂O₆を用いたIGZO薄膜トランジスタの特性改善

著者 (6件)： 及川賢人 (奈良先端科学技術大学院大) ,  藤井茉美 (奈良先端科学技術大学院大) ,  BERMUNDO Juan Paolo (奈良先端科学技術大学院大) ,  内山潔 (鶴岡工高専) ,  石河泰明 (奈良先端科学技術大学院大) ,  浦岡行治 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.15p-A22-6  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化物 ,  *インジウム化合物 ,  誘電体薄膜 ,  ストロンチウム化合物 ,  タンタル酸塩 ,  *薄膜トランジスタ ,  スピンコーティング ,  伝送特性 ,  深さプロフィル ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  タンタル酸ストロンチウム ,  深さ方向プロフィル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高圧水蒸気 ,  誘電体膜 ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  特性改善