全ナノセルロース不揮発性抵抗メモリ

CELANO Umberto; NAGASHIMA Kazuki; KOGA Hirotaka; NOGI Masaya; ZHUGE Fuwei; MENG Gang; HE Yong; DE BOECK Jo; JURCZAK Malgorzata; VANDERVORST Wilfried; YANAGIDA Takeshi

文献

J-GLOBAL ID：201602283628454486 整理番号：16A1171304

全ナノセルロース不揮発性抵抗メモリ

All-nanocellulose nonvolatile resistive memory

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=16A1171304&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=16A1171304&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=U0883A") }}

著者 (11件)： , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 8 号： Sept ページ： WEB ONLY 発行年： 2016年09月
JST資料番号： U0883A ISSN： 1884-4057 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

単一利用使い捨て不揮発性メモリデバイスは,日常生活における各個人の健康状態を記録することによる全てのモノのインターネット(IoE)での新奇な用途に可能性を保持している。しかしながら,従来のメモリデバイスは,環境中へ放出され時に生態系への重大な損傷の原因となる,主に,非再生可能,非生物分解性および時には有毒な材料からなるため,廃棄できない。ここに,著者らは,99.3vol.%のナノセルロースからなる環境に優しく,廃棄可能で不揮発性メモリデバイスを示す。著者らのメモリデバイスはナノセルロースベース抵抗スイッチング層とナノペーパー基板からなる。このデバイスは,多水準貯蔵の能力と単一ナノファイバ水準(約15nm)までの微小化の可能性を有する不揮発性抵抗スイッチングを示した。このデバイスの生物分解性を自然土壌中に26日埋め込むことで確認した。(翻訳著者抄録)

, , , , ,
, ,

記憶装置 , 多糖類 , 固体デバイス材料

引用文献 (41件)：

Ghoneim, M. T. & Hussain, M. M. Review on physically flexible nonvolatile memory for internet of everything electronics. Electronics 4, 424-479 (2015).
Atzori, L., Iera, A. & Morabito, G. The internet of things: a survey. Comp. Netw. 54, 2787-2805 (2010).
Miorandi, D., Sicari, S., Pellegrini, F. D. & Chlamtac, I. Internet of things: vision, applications and research challenges. Ad Hoc Netw. 10, 1497-1516 (2012).
Suckling, J. & Lee, J. Redefining scope: the true environmental impact of smartphones? Int. J. Life Cycle Assess. 20, 1181-1196 (2015).
Nogi, M., Iwamoto, S., Nakagaito, A. N. & Yano, H. Optically transparent nanofiber paper. Adv. Mater. 21, 1595-1598 (2009).

, ,

前のページに戻る