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J-GLOBAL ID:201602286039023189   整理番号:16A0665251

電子ドープ型高温超伝導体T’-Pr2-x-yLayCexCuO4+δのオーバードープ領域におけるホール抵抗率と電子状態

著者 (9件):
資料名:
巻: 2015  ページ: 18-20  発行年: 2016年06月 
JST資料番号: X0986A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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T′構造を持つPr2-x-yLayCexCuO4+δ(T′-PLCCO)は過剰酸素を有し,還元処理により超伝導が発現するが,機構は不明である。著者らは,T′-PLCCO(x=0.10,y=0.7)単結晶のab面内ホール抵抗率ρxyは,as-grown試料では磁場に比例し,還元した超伝導試料では磁場に非線形な挙動を示すことを明らかにしている。本研究では,Ce濃度の増大と共に超伝導転移温度が低下するオーバードープ域の単結晶について同様の測定を行った。単結晶は溶媒移動型浮遊帯域溶融法で成長し,測定は,20T高均一マグネットを用いて17.5Tまでの磁場中,2K以上の温度において行った。その結果,超伝導を示すx=0.15とy=0.7の試料では,ρxyは磁場に非線形で,超伝導の消失したx=0.20とy=1.0の試料では磁場に比例することを明らかにした。
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分類 (1件):
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酸化物系超伝導体の物性 
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