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J-GLOBAL ID：201602287168035010   整理番号：16A1190977

レーザパルスにより駆動した同期Si電界放出アレイの電子放出特性

Electron emission properties of gated silicon field emitter arrays driven by laser pulses

著者 (6件)： Shimawaki Hidetaka (Department of System and Information Engineering, Hachinohe Institute of Technology, Hachinohe, Aomori 031-8501, Japan) ,  Nagao Masayoshi (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Neo Yoichiro (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan) ,  Mimura Hidenori (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Shizuoka 432-8011, Japan) ,  Wakaya Fujio (Graduate school of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan) ,  Takai Mikio (Graduate school of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8531, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 109  号： 18  ページ： 183106-183106-3  発行年： 2016年10月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *電界放出アレイ ,  電子放出 ,  レーザパルス ,  *パルスレーザ照射 ,  ケイ素 ,  *P型半導体 ,  電子顕微鏡観察 ,  電流 ,  電界放出
準シソーラス用語： 放出電流

分類 (1件)： 光電子放出  (BM09030D)

タイトルに関連する用語 (4件)： レーザパルス ,  Si ,  電界放出アレイ ,  電子放出