Ren Jian について
Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China について
Yan Dawei について
Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China について
Zhai Yang について
Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China について
Mou Wenjie について
Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China について
Gu Xiaofeng について
Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry (Ministry of Education), Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, China について
Microelectronics Reliability について
アルミニウム化合物 について
インジウム化合物 について
窒化物 について
ガリウム化合物 について
窒化ガリウム について
素子構造 について
Schottky障壁ダイオード について
格子整合 について
電気特性 について
Schottky障壁 について
転位【結晶】 について
絶縁破壊 について
窒化アルミニウムインジウム について
窒化アルミニウムガリウム について
ヘテロ構造 について
Schottky障壁高さ について
Lattice-matched InAlN/GaN Schottky barrier diode について
AlGaN/GaN Schottky barrier diode について
Electrical characteristics について
Dislocation について
ダイオード について
AlGaN について
GaN について
格子整合 について
InAlN について
ヘテロ構造 について
Schottky障壁ダイオード について
電気特性 について