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J-GLOBAL ID：201602289805861238   整理番号：16A0409646

高効率加工を目指す革新的プラズマ融合CMP技術と難加工材料への適用

著者 (2件)： 土肥俊郎 (九大 産学連携セ) ,  會田英雄 (九大 産学連携セ)
資料名： 光技術コンタクト  (Optical and Electro-Optical Engineering Contact)
巻： 54  号： 4  ページ： 35-42  発行年： 2016年04月20日 
JST資料番号： S0624A  ISSN： 0913-7289  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiC,GaNおよびダイヤモンドなどの難加工材料を高効率に加工するために,CMP法と大気圧プラズマ加工法(P-CVM)を融合した技術を開発している。プラズマ融合CMP技術の難加工材料への適用について紹介した。超難加工材料の精密加工プロセスを述べ,プラズマ融合CMP技術の加工原理と装置化技術を説明した。プラズマ融合CMP装置の加工コンセプトを検証するために,4H-SiC基板の加工実験や,GaN基板の加工特性を示した。また,プラズマ融合CMP法による超難加工ダイヤモンド基板の加工も示した。ダイヤモンド基板に対して高い加工効率や平坦化効果を示した。プラズマ融合CMP技術で,高効率で高品位加工を達成できる。

シソーラス用語： *化学機械研磨 ,  *プラズマ ,  材料 ,  効率 ,  *プラズマ加工 ,  炭化ケイ素 ,  窒化ガリウム ,  ダイヤモンド ,  六方晶系 ,  基板 ,  平坦性 ,  品質 ,  精密加工
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  加工効率 ,  高効率 ,  高品位 ,  *難加工材料

分類 (1件)： プラズマ応用  (BJ02110K)

引用文献 (7件)：

• Novel CMP/PCVM Combined Processing of Hard-to Process Crystals Based on Innovative Concepts, T.K.Doi, Y.Sano, S.Kurokawa, Hideo Aida et.al, Sensors & Materials, 26, 6 (2014) 403-415
• Formation and Evaluation of Quasi-radical Site Induced by Femtosecond Laser on the Surface of Diamond, Chengwu WANG, Syuhei KUROKAWA, Shin-ichi KOMAI, Hideo AIDA, Koki OYAMA, Kunimitsu TAKAHASHI, Yasuhisa SANO, Keiichi TSUKAMOTO, and Toshiro DOI, Proceedings of the 13th International Symposium on Aerospace Technology, pp.49-51, 17-18 October 2013, Namiltte Resort Elinus Hotel (Sacheon, Korea)
• Consideration of Femtosecond Laser-induced Effect on Semiconductor Material SiC Substrate for CMP Processing, Chengwu WANG, Syuhei KUROKAWA, Toshiro DOI, Yasuhisa SANO, Hideo AIDA, Osamu OHNISHI, Michio UNEDA, Koki OYAMA, Terutake HAYASHI, Ji ZHANG, Asakawa EIJI, Applied Mechanics and Materials, Vols. 799-800, pp.458-462, (2015-10)
• Dependence of GaN Removal Rate of Plasma Chemical Vaporization Machining on Mechanically Introduced Damage,Yasuhisa Sano, Toshiro K. Doi, Syuhei Kurokawa, Hideo Aida, Osamu Ohnishi, Michio Uneda, Kousuke Shiozawa, Yu Okada, and Kazuto Yamauchi Sensors and Materials, 26 (6) (2014) 429-434.
• GaN Substrate for Post-Silicon Power Devices -Surface and Subsurface Damage Evaluation for GaN Substrate Prepared by Chemical Mechanical Polishing-, Koji KOYAMA, Hideo AIDA, Junya NAKATA, Takuhiro SUGIYAMA, Aki TOSAKA, Yukichi SHIGETA, Hidetoshi TAKEDA, Natsuko AOTA, Toshiro DOI, Tsutomu YAMAZAKI, Proc. Int. Symp. Adv. Sci. Tech. Silicon Mater. (JSPS Si Symposium), Kona, Hawaii, pp.87-90 (2012).

タイトルに関連する用語 (5件)： 高効率加工 ,  プラズマ ,  融合 ,  CMP ,  難加工材料