文献

J-GLOBAL ID：201402288995592628   整理番号：14A1031500

機械的誘起損傷に及ぼすプラズマ化学的気化加工法のGaN除去率の依存性

Dependence of GaN Removal Rate of Plasma Chemical Vaporization Machining on Mechanically Introduced Damage

著者 (9件)： SANO Yasuhisa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  DOI Toshiro K. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KUROKAWA Syuhei (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  AIDA Hideo (Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHNISHI Osamu (Univ. Miyazaki, Miyazaki, JPN) ,  UNEDA Michio (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  SHIOZAWA Kousuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OKADA Yu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMAUCHI Kazuto (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Sensors and Materials  (Sensors and Materials)
巻： 26  号： 6  ページ： 429-434  発行年： 2014年 
JST資料番号： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大気圧プラズマエッチング[プラズマ化学的気化加工法(PCVM)]および機械研磨を組合せた高効率な平坦化法を提案した。機械的作用により影響を受けると考えられる,基板表面の凸部を,PCVMにより選択的に除去した。しかしながら,窒化ガリウム(GaN)基板の損傷層のPCVM除去率が増加するかどうかは明らかでなかった。本研究では,除去深さに及ぼす除去率の依存性を損傷層を持つGaN基板を用いて調査した。結果として,損傷層の除去率は深い未損傷層の除去率より3または4倍大きいことが観測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *超精密加工 ,  *窒化ガリウム ,  比率 ,  プラズマエッチング ,  研磨 ,  改変 ,  基板 ,  損傷 ,  除去 ,  依存性
準シソーラス用語： *プラズマ化学的気化加工法 ,  機械研磨 ,  除去率 ,  平坦化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (7件)：

• Y. Mori, K. Yamamura, K. Yamauchi, K. Yoshii, T. Kataoka, K. Endo, K. Inagaki and H. Kakiuchi: Nanotechnology 4 (1993) 225.
• Y. Mori, K. Yamauchi, K. Yamamura and Y. Sano: Rev. Sci. Instrum. 71 (2000) 4627.
• Y. Sano, M. Watanabe, T. Kato, K. Yamamura, H. Mimura and K. Yamauchi: Mater. Sci. Forum 600-603 (2009) 847.
• Y. Nakahama, N. Kanetsuki, T. Funaki, M. Kadono, Y. Sano, K. Yamamura, K. Endo and Y. Mori: Surf. Interface Anal. 40 (2008) 1566.
• C. Youtsey, L. T. Romano, R. J. Molnar and I. Adesida: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 3537.

タイトルに関連する用語 (6件)： 誘起 ,  損傷 ,  プラズマ化学的気化加工法 ,  GaN ,  除去率 ,  依存性