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J-GLOBAL ID：201402230648606220   整理番号：14A1031498

革新的概念に基づく処理困難な結晶の新しい化学機械研磨/プラズマ化学的気化加工法複合加工法(CMP/P-CVM)

Novel Chemical Mechanical Polishing/Plasma-Chemical Vaporization Machining (CMP/P-CVM) Combined Processing of Hard-to-Process Crystals Based on Innovative Concepts

著者 (8件)： DOI Toshiro K. (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SANO Yasuhisa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KUROWAKA Syuhei (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  AIDA Hideo (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  AIDA Hideo (Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHNISHI Osamu (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN) ,  UNEDA Michio (Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN) ,  OHYAMA Koki (Namiki Precision Jewel Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Sensors and Materials  (Sensors and Materials)
巻： 26  号： 6  ページ： 403-415  発行年： 2014年 
JST資料番号： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,著者らは次世代”グリーンデバイス”のための処理困難な結晶ウェハの超精密処理の系統的知識を確立することを目的とし,そして低炭素社会のため求められるSiC,GaN,およびダイアモンドベースデバイスの早期商業化に寄与するための高効率,高品質なプロセスを設計しそして開発した。処理困難な材料のための超高精密プロセスの設計で,著者らはプロセスを2つのステップ:前処理ステップおよび仕上げステップ,に分割した。前処理ステップでは,仕上げに適した表面条件を制御するため超微細欠陥を導入することにより,疑似ラジカル領域を形成した。仕上げステップでは,著者らは密閉室化学機械研磨(CMP)とプラズマ化学的気化加工(P-CVM)法を組合せることを試みた。第2ステップの概念を評価するため,機械を設計しそしてプロトタイプを作るのに必要な基礎研究を行った。疑似ラジカル領域を作る方法として,結晶学的に不規則な層を残す,フェムト秒(fs)レーザ照射と粗処理(研磨)を検討した。マイクロインデンテーション試験,断面透過型電子顕微鏡(TEM)観察,Raman分光法,X線光電子分光法(XPS)および反射高エネルギー電子回折(RHEED)を,最上部表面の疑似ラジカル領域を確認するため用いた。また,著者らは,CMPおよびP-CVMを受けた疑似ラジカル基板の特性を研究した。P-CVMは微小欠陥を持つ疑似ラジカル基板で増加した処理速度を示した。将来は疑似ラジカル領域の結晶学的不規則性の度合と深さを最適化することが必要と見られた。ここで提供した結果に基づき,著者らは,研磨の様な原位置物理効果により疑似ラジカル領域を連続的に作りながら,CMPとP-CVMを行うことにより処理困難な材料のナノトポグラフィを選択的に平らにできる,革新的CMP/P-CVM組合せ処理機械のプロトタイプを作ることを始めた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化学研磨 ,  超精密加工 ,  複合加工 ,  ウエハ【IC】 ,  *結晶 ,  前処理 ,  仕上 ,  欠陥 ,  ラジカル ,  基礎研究 ,  フェムト秒 ,  レーザ照射 ,  研磨 ,  Raman分光法 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  *化学機械研磨 ,  超精密 ,  低炭素社会 ,  *プラズマCVM ,  *機械工作
準シソーラス用語： *プラズマ化学的気化加工法

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (7件)：

• Nikkei Electronics (2011.12.21) p. 67.
• W. Saito, I. Omura, T. Ogura and H. Ohashi: Solid State Electron. 48 (2004) 1555.
• T. Doi, I. D. Marinescu and S. Kurokawa: Advances in CMP Polishing Technologies (Elsevier, New York, 2012) Chap. 5, p. 40.
• Y. Sano, M. Watanabe, T. Kato, K. Yamamura, H. Miura and K. Yamauchi: Mater. Sci. Forum 600-603 (2009) 847.
• T. Doi: Details of Semiconductor CMP Technology (Kogyo-chosakai Publishing Co., Tokyo, 2001) (in Japanese).

タイトルに関連する用語 (6件)： 概念 ,  結晶 ,  化学機械研磨 ,  プラズマ化学的気化加工法 ,  複合加工法 ,  CMP