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J-GLOBAL ID：201602291417928720   整理番号：16A0930937

バンドギャップエネルギーを制御したInAs量子ドットを含む中間バンド型GaAs太陽電池の特性比較

著者 (7件)： 池田理彩 (和歌山大) ,  林佑真 (和歌山大) ,  尾崎信彦 (和歌山大) ,  大里啓孝 (物質・材料研究機構) ,  渡辺英一郎 (物質・材料研究機構) ,  池田直樹 (物質・材料研究機構) ,  杉本喜正 (物質・材料研究機構)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.14p-P21-26  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *バンドギャップ ,  *量子ドット ,  ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  エネルギー依存性 ,  MBE成長 ,  PIN接合 ,  エレクトロルミネセンス ,  スペクトルシフト ,  膜厚 ,  *中間バンド型太陽電池 ,  バンドギャップエネルギー ,  膜厚依存性
準シソーラス用語： 分子線エピタクシー法 ,  光電流分光法 ,  歪緩和

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： バンドギャップエネルギー ,  InAs量子ドット ,  中間バンド ,  GaAs ,  太陽電池