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J-GLOBAL ID：201602298469684500   整理番号：16A0410381

焼結スピネルターゲットの直接スパッタリングにより形成したMgAl₂O₄(001)系磁気トンネル接合

MgAl₂O₄(001) based magnetic tunnel junctions made by direct sputtering of a sintered spinel target

著者 (5件)： BELMOUBARIK Mohamed (National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, JPN) ,  SUKEGAWA Hiroaki (National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, JPN) ,  OHKUBO Tadakatsu (National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, JPN) ,  MITANI Seiji (National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, JPN) ,  HONO Kazuhiro (National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 108  号： 13  ページ： 132404-132404-5  発行年： 2016年03月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *焼結体 ,  *スピネル型結晶 ,  *ターゲット ,  *スパッタ蒸着 ,  *構成 ,  *酸化アルミニウム ,  *酸化マグネシウム ,  *トンネル接合 ,  薄膜 ,  界面 ,  格子整合 ,  磁気抵抗 ,  電圧依存性 ,  ポテンシャル障壁
準シソーラス用語： *焼結材料 ,  *スパッタリング蒸着 ,  *薄膜形成 ,  *アルミニウム酸化物 ,  *マグネシウム酸化物 ,  *磁気トンネル接合 ,  エピタキシャル膜 ,  固固界面 ,  トンネル磁気抵抗 ,  トンネル障壁

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 焼結 ,  スピネル ,  ターゲット ,  スパッタリング ,  MgAl2O4 ,  系 ,  磁気トンネル接合