不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人スズエ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-188757
公開番号（公開出願番号）：特開2016-063027
出願日： 2014年09月17日
公開日（公表日）： 2016年04月25日
要約：

【課題】高性能化及び高集積化に有利なデバイス構造を提案する。【解決手段】実施形態に係わる不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板11と、半導体基板11の表面に垂直なZ方向に、第1の絶縁層14、第1の電極層SGL0、...第nの絶縁層14、第nの電極層SGL1、及び、第(n+1)の絶縁層14の順で積み重ねられる第1の積層構造(但し、nは、自然数)と、Z方向に第1の積層構造を貫通する酸化物半導体層13と、第1、...及び、第nの電極層SGL0,...SGL1と、酸化物半導体層13との間に設けられ、電荷を蓄積する電荷蓄積層を備える第2の積層構造16と、酸化物半導体層13内に設けられ、第1、...及び、第(n+1)の絶縁層14の少なくとも1つに接触し、酸化物半導体層13内の酸素の組成比よりも低い酸素の組成比を有し、前記酸化物半導体層13の抵抗値よりも低い抵抗値を有する低抵抗領域15と、を備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の表面に垂直な第1の方向に、第1の絶縁層、第1の電極層、...第nの絶縁層、第nの電極層、及び、第(n+1)の絶縁層の順で積み重ねられる第1の積層構造(但し、nは、自然数)と、前記第1の方向に前記第1の積層構造を貫通する酸化物半導体層と、前記第1、...及び、第nの電極層と、前記酸化物半導体層との間に設けられ、電荷を蓄積する電荷蓄積層を備える第2の積層構造と、前記酸化物半導体層内に設けられ、前記第1、...及び、第(n+1)の絶縁層の少なくとも1つに接触し、前記酸化物半導体層内の酸素の組成比よりも低い酸素の組成比を有し、前記酸化物半導体層の抵抗値よりも低い抵抗値を有する低抵抗領域と、を具備する不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6件)：

H01L27/10 434 , H01L29/78 616L , H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L29/78 613B , H01L29/78 371

Fターム (81件)：

5F083EP17 , 5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP48 , 5F083EP49 , 5F083EP62 , 5F083EP67 , 5F083EP76 , 5F083ER22 , 5F083GA01 , 5F083GA02 , 5F083GA03 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA10 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA12 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA53 , 5F083LA02 , 5F083MA06 , 5F083MA20 , 5F083PR00 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR06 , 5F083PR40 , 5F083ZA28 , 5F101BA42 , 5F101BA45 , 5F101BA47 , 5F101BA54 , 5F101BB02 , 5F101BB08 , 5F101BD16 , 5F101BD22 , 5F101BD30 , 5F101BD34 , 5F101BD39 , 5F101BE07 , 5F101BF08 , 5F101BF09 , 5F101BH14 , 5F101BH15 , 5F110AA04 , 5F110BB08 , 5F110BB11 , 5F110CC09 , 5F110DD05 , 5F110EE09 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF12 , 5F110FF13 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110HJ30 , 5F110HK09 , 5F110HL04 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN28 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (2件)

垂直型半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-286950 出願人：三星電子株式会社
半導体記憶素子、及び半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-084332 出願人：株式会社東芝

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