特許

J-GLOBAL ID：201103021639210406

半導体記憶素子、及び半導体記憶装置

発明者： 井野 恒洋 ,  松下 大介 ,  中崎 靖 ,  新宮 昌生
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-084332
公開番号（公開出願番号）：特開2011-216715
出願日： 2010年03月31日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：

【課題】 高効率に電荷を蓄積及び消去することができ、かつ蓄積した電荷を長時間保持することができる半導体記憶素子、及び半導体記憶装置を提供する【解決手段】 半導体層19と、半導体層19上に設けられたトンネル絶縁膜18と、トンネル絶縁膜18上に設けられ、膜厚が0.9nm以上2.8nm以下であり、立方晶ハフニア粒子17を含む電荷蓄積膜16と、電荷蓄積膜16上に設けられたブロック絶縁膜15と、ブロック絶縁膜15上に設けられた制御電極13とを備えることを特徴とする半導体記憶素子。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体層と、 前記半導体層上に設けられたトンネル絶縁膜と、 前記トンネル絶縁膜上に設けられ、膜厚が0.9nm以上2.8nm以下であり、立方晶ハフニア粒子を含む電荷蓄積膜と、 前記電荷蓄積膜上に設けられたブロック絶縁膜と、 前記ブロック絶縁膜上に設けられた制御電極とを備えることを特徴とする半導体記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371

Fターム (36件)：

5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083EP48 ,  5F083EP49 ,  5F083EP50 ,  5F083EP76 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA03 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083LA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F101BA42 ,  5F101BA47 ,  5F101BA49 ,  5F101BA53 ,  5F101BA54 ,  5F101BB02 ,  5F101BD16 ,  5F101BD30 ,  5F101BD34 ,  5F101BD39 ,  5F101BF02 ,  5F101BF09 ,  5F101BH02 ,  5F101BH16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• Hf2および第2の化合物を含む組成物、その使用、そのデバイス、および基板上に誘電性層を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-165399   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
• 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-248024   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-224448   出願人：株式会社東芝