特許
J-GLOBAL ID：201603001048466459
磁場検出装置および磁場検出方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-146572
公開番号（公開出願番号）：特開2016-023965
出願日： 2014年07月17日
公開日（公表日）： 2016年02月08日
要約：
【課題】AC磁場が、精度を低下させることなく検出できるようにする。【解決手段】周波数制御部102は、電場印加電極などから構成されている電場発生部113を制御し、検出素子101のNV中心における電子スピン121のスピン状態を制御する。磁場発生部113は、検出素子101に電場を印加できる電極である。例えば、磁場発生部113は、検出素子101を取り巻く筒状の電極であればよい。上述した電場による制御では、電子スピン121における|Br〉と|Da〉との間のエネルギー差を、測定対象115におけるAC磁場116の周波数に等しくする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド格子中の炭素の置換位置に入った窒素と、この置換窒素に隣接する炭素原子が抜けた空孔との対からなる複合不純物欠陥であるNV中心を有するダイヤモンドからなる検出素子のNV中心における電子スピンに電場を印加し、以下の式(第1の状態)で示される|Br〉と、以下の式(第2の状態)で示される|Da〉の間の前記電子スピンのエネルギー差を、ターゲットAC磁場の周波数に等しい状態とする周波数制御ステップと、
前記電子スピンを|0〉に偏極させる電子スピン状態制御ステップと、
|0〉に偏極した前記電子スピンに、|0〉と前記|Br〉との間の差に共鳴するマイクロ波を印加する第1マイクロ波印加ステップと、
前記第1マイクロ波印加ステップの後で、前記電子スピンを測定対象の磁場に相互作用させる相互作用ステップと、
前記電子スピンを測定対象の磁場に相互作用させた後、|0〉と前記|Br〉との間の差に共鳴するマイクロ波を前記電子スピンに印加する第2マイクロ波印加ステップと、
前記第2マイクロ波印加ステップの後で、前記検出素子にレーザー光を照射することで前記電子スピンの状態を検出する電子スピン状態検出ステップと
を備えることを特徴とする磁場検出方法。
IPC (3件)：
G01R 33/26
, G01R 33/20
, G01N 21/17
G01N24/00 P
, G01R33/20
, G01N21/17 Z
2G059AA03
, 2G059AA05
, 2G059BB08
, 2G059BB12
, 2G059BB15
, 2G059EE20
, 2G059GG01
, 2G059MM01
