特許
J-GLOBAL ID：201603001233222159

半導体装置

発明者：
井本 裕己

井本 裕己 について

, 
丸山 哲紀

丸山 哲紀 について

, 
遠藤 佑太

遠藤 佑太 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-062923
公開番号（公開出願番号）：特開2012-216792
特許番号：特許第5912709号
出願日： 2012年03月20日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート電極と、 ゲート絶縁膜と、 酸化物半導体膜と、 ソース電極と、 ドレイン電極と、を有し、 前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、 前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、 前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、 前記ゲート絶縁膜は、第1の絶縁膜と、第2の絶縁膜との積層構造を有し、 前記第1の絶縁膜は、前記ゲート電極と接する領域を有し、 前記第2の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、 前記第1の絶縁膜は、水素を捕縛する機能を有し、 前記第2の絶縁膜は、水素を透過する機能を有し、 前記第1の絶縁膜は、窒素と、インジウムと、酸素とを有し、 前記第2の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (14件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 21/283 ( 200 6.01) ,  H01L 27/10 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  G09F 9/00 ( 200 6.01)
FI (20件)：
H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 27/10 321 ,  H01L 27/10 441 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 615 ,  H01L 27/10 671 C ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/50 M ,  H01L 21/283 C ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 461 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/00 338 ,  H01L 29/78 627 F
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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