特許
J-GLOBAL ID：201603001257650526
プラズマCVD装置、磁気記録媒体の製造方法及び成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳瀬 睦肇
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-166888
公開番号（公開出願番号）：特開2014-025114
特許番号：特許第6019343号
出願日： 2012年07月27日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 チャンバーと、
前記チャンバー内に配置された第1及び第2のアノードと、
前記チャンバー内に配置された第1及び第2のカソードと、
前記チャンバー内に配置される被成膜基板を保持する保持部と、
前記第1及び第2のアノードに電気的に接続された第1の直流電源と、
前記第1及び第2のカソードに電気的に接続された交流電源と、
前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
第1のタイミングに、前記第1の直流電源によって前記第1及び第2のアノードの一方に第1の電圧を印加しながら前記第1及び第2のアノードの他方に第2の電圧を印加し、第2のタイミングに、前記第1の直流電源によって前記第1及び第2のアノードの一方に前記第2の電圧を印加しながら前記第1及び第2のアノードの他方に前記第1の電圧を印加するように制御する制御部と、
を具備し、
前記被成膜基板の一方の面が前記第1のアノード及び前記第1のカソードに対向するように配置され、前記被成膜基板の他方の面が前記第2のアノード及び前記第2のカソードに対向するように配置され、
前記制御部は、前記第1及び第2のアノードの両方同時に前記第1の電圧が印加されることがなく、前記第1及び第2のアノードの両方同時に前記第2の電圧が印加されることがないように制御され、
前記第2の電圧は0Vより大きく、前記第1の電圧は前記第2の電圧より大きく、前記第2の電圧は、前記第1の電圧の1〜50%の電圧であり、
前記制御部は、前記第1のタイミング及び前記第2のタイミングを10Hz以上100Hz以下の範囲の周波数で繰り返し、
前記制御部はシーケンサを有し、前記シーケンサによって前記周波数の制御を行うことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4件)：
C23C 16/515 ( 200 6.01)
, C23C 16/26 ( 200 6.01)
, H05H 1/24 ( 200 6.01)
, G11B 5/84 ( 200 6.01)
C23C 16/515
, C23C 16/26
, H05H 1/24
, G11B 5/84 B
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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