特許
J-GLOBAL ID：201603001467175499
縦型ゲート半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鎌田 健司
, 前田 浩夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-510861
特許番号：特許第6031681号
出願日： 2012年04月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 縦型ゲート半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の上に第1導電型のドレイン領域を形成する工程(a)と、
前記ドレイン領域の上に、前記第1導電型とは反対導電型である第2導電型の第1ボディー領域を形成する工程(b)と、
前記第1ボディー領域を貫通して前記ドレイン領域に達するトレンチを前記基板に形成する工程(c)と、
前記工程(c)の後に、前記トレンチの側壁にゲート絶縁膜を形成する工程(d)と、
前記工程(d)の後に、前記トレンチの上部に凹部が残る状態で、前記トレンチ内にゲート電極を形成する工程(e)と、
前記工程(e)の後に、前記凹部に形成されるとともに、前記トレンチ両側の前記第1ボディー領域において、前記トレンチ端からの距離が離れるにつれて膜厚が増大する部分を有する、第1絶縁膜を形成する工程(f)と、
前記工程(f)の後に、前記第1絶縁膜を介した不純物導入により、前記トレンチに沿って配置された、前記トレンチと隣接する、第1導電型の第1ソース領域を形成する工程(g)と、
を有する縦型ゲート半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 B
, H01L 29/78 653 C
, H01L 29/78 658 B
, H01L 21/265 R
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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