特許
J-GLOBAL ID：201603001692309410

光電子素子の製造方法

発明者：
リヒャート バイスル

リヒャート バイスル について


出願人/特許権者：
オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング について


代理人 (2件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  久野 琢也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-542798
特許番号：特許第5980343号
出願日： 2012年11月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 光電子素子の製造方法において、 ・基板(12)の上に、第1電極(13)を形成し、 ・前記第1電極(13)の上に、有機機能層構造体(14)を形成し、 ・前記有機機能層構造体(14)の上に、第2電極(15)を形成し、 ・前記第1電極(13)及び/又は前記第2電極(15)のコンタクトのための少なくとも1つのコンタクト部(16)を形成し、 ・前記有機機能層構造体(14)及び前記コンタクト部(16)の上に、封入層(18)を形成し、 ・前記有機機能層構造体(14)の上及び横において、前記封入層(18)の上に、接着材(20)を、当該有機機能層構造体(14)の少なくとも1つの側面(19)を覆うように、かつ、異方性エッチング方法の際に、前記側面(19)のためのエッチングストッパとして使用されるように被着し、 ・前記異方性エッチング方法の際に、前記有機機能層構造体(14)の上にある前記封入層(18)のためのエッチングストッパとして使用されるカバー(22)を、有機機能層構造体(14)の上において、前記封入層(18)の上に、前記接着材(20)によって固定し、 ・前記異方性エッチング方法によって、前記コンタクト部(16)の上にある前記封入層(18)を除去し、 ・前記異方性エッチング方法の間に、前記基板(12)を冷却する、 ことを特徴とする製造方法。
IPC (4件)：
H05B 33/10 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01) ,  H05B 33/04 ( 200 6.01) ,  H05B 33/06 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/06
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (5件)
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