特許

J-GLOBAL ID：201603001794889730

薄膜積層構造体及び太陽電池

発明者： 堀田 育志 ,  三宅 省三 ,  豊嶋 祐樹 ,  吉田 晴彦 ,  新船 幸二 ,  佐藤 真一
出願人/特許権者： 公立大学法人兵庫県立大学
代理人 (4件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  岡部 博史 ,  稲葉 和久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-035675
公開番号（公開出願番号）：特開2016-157869
出願日： 2015年02月25日
公開日（公表日）： 2016年09月01日
要約：

【課題】SiOx層と高誘電体層との複数の界面における界面双極子を蓄積した薄膜積層構造体を提供する。【解決手段】薄膜積層構造体は、第1のSiOx層と、第1のSiOx層の上に設けられた第1の高誘電体層と、第1の高誘電体層の上に設けられた第2の高誘電体層と、第2の高誘電体層の上に設けられた第2のSiOx層と、を備え、第1のSiOx層と第1の高誘電体層との界面において形成される第1の界面双極子を有し、第2の高誘電体層と第2のSiOx層との界面において形成される第2の界面双極子を有し、第1の界面双極子による双極子モーメントと第2の界面双極子による双極子モーメントとの総和としてゼロでない双極子モーメントを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1のSiOx層と、 前記第1のSiOx層の上に設けられた第1の高誘電体層と、 前記第1の高誘電体層の上に設けられた第2の高誘電体層と、 前記第2の高誘電体層の上に設けられた第2のSiOx層と、 を備え、 前記第1のSiOx層と前記第1の高誘電体層との界面において形成される第1の界面双極子を有し、 前記第2の高誘電体層と前記第2のSiOx層との界面において形成される第2の界面双極子を有し、 前記第1の界面双極子による双極子モーメントと前記第2の界面双極子による双極子モーメントとの総和としてゼロでない双極子モーメントを有する、薄膜積層構造体。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 31/021

FI (5件)：

H01L21/316 M ,  H01L31/04 240 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 Y ,  H01L21/316 P

Fターム (13件)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF11 ,  5F058BF12 ,  5F058BF52 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F151DA20 ,  5F151GA04 ,  5F151HA20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-124635   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-155467   出願人：富士通セミコンダクター株式会社