特許
J-GLOBAL ID：201103080126756280

半導体装置及びその製造方法

発明者：
秋山 深一

秋山 深一 について

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大久保 和哉

大久保 和哉 について

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大塚 信幸

大塚 信幸 について

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羽根田 雅希

羽根田 雅希 について

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中林 正明

中林 正明 について

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森▲崎▼ 祐輔

森▲崎▼ 祐輔 について

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南方 浩志

南方 浩志 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-155467
公開番号（公開出願番号）：特開2011-014614
出願日： 2009年06月30日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：
【課題】高誘電率膜のゲート絶縁膜を含むMISFETを有する半導体装置に関し、メタルゲート材料の仕事関数と半導体基板の仕事関数との間の関係によって閾値電圧を容易且つ浅い値に制御しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に酸化シリコンを主体とする第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に酸化ハフニウムを主体とする第2の絶縁膜を形成し、熱処理を行い第2の絶縁膜上にシリコンを析出させ、シリコン上にシリコンに対して酸化作用を有する第3の絶縁膜を形成し、第3の絶縁膜上に金属膜のゲート電極を形成し、熱処理を行い第3の絶縁膜の酸化作用によってシリコンを酸化させる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、酸化シリコンを主体とする第1の絶縁膜を形成する工程と、 前記第1の絶縁膜上に、酸化ハフニウムを主体とする第2の絶縁膜を形成する工程と、 熱処理を行い、前記第2の絶縁膜上に、シリコンを析出させる工程と、 前記シリコン上に、シリコンに対して酸化作用を有する第3の絶縁膜を形成する工程と、 前記第3の絶縁膜上に、金属膜を形成する工程と、 前記金属膜をパターニングし、前記金属膜を含むゲート電極を形成する工程と、 熱処理を行い、前記第3の絶縁膜の前記酸化作用によって前記シリコンを酸化させる工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/423 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L21/283 B ,  H01L21/90 C
Fターム (148件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK25 ,  5F033KK33 ,  5F033LL04 ,  5F033MM08 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F140AA06 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BE14 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF17 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF24 ,  5F140BF28 ,  5F140BF38 ,  5F140BF59 ,  5F140BF60 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG39 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK26 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04 ,  5F140CF05
引用特許：
審査官引用 (17件)
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