特許

J-GLOBAL ID：201603002846111496

重合体、有機膜組成物、有機膜、およびパターン形成方法

発明者： 南 宮 爛 ,  權 孝 英 ,  金 昇 ▲げん▼ ,  ラスウェル,ドミネア ,  文 秀 賢 ,  鄭 鉉 日 ,  許 柳 美
出願人/特許権者： 三星エスディアイ株式会社
代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-244565
公開番号（公開出願番号）：特開2016-151024
出願日： 2015年12月15日
公開日（公表日）： 2016年08月22日
要約：

【課題】本発明は、平坦化特性と耐エッチング性を向上させるだけでなく、優れた溶解性を確保することができる重合体、前記重合体を含む有機膜組成物、前記有機膜組成物から製造された有機膜、および前記有機膜組成物を用いるパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係る重合体は、下記の化学式1で表される部分を含む。前記化学式1の定義は、明細書中の定義と同様である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記の化学式1で表される部分を含む重合体:

IPC (3件)：

C08G 61/12 ,  G03F 7/11 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C08G61/12 ,  G03F7/11 502 ,  G03F7/11 503 ,  H01L21/30 563 ,  H01L21/30 578

Fターム (24件)：

2H125AM61N ,  2H125AM95N ,  2H125AN39N ,  2H125AN42N ,  2H125BA01N ,  2H125CA12 ,  2H125DA23 ,  2H125DA24 ,  4J032BA12 ,  4J032BA13 ,  4J032BA14 ,  4J032BA15 ,  4J032CA03 ,  4J032CA04 ,  4J032CA06 ,  4J032CA07 ,  4J032CA12 ,  4J032CA16 ,  4J032CB01 ,  4J032CB03 ,  4J032CC01 ,  4J032CE03 ,  4J032CG06 ,  5F146HA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特許第6583636号
  
• リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-046789   出願人：日産化学工業株式会社
• カルボニル基含有カルバゾールノボラックを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-170442   出願人：日産化学工業株式会社
• 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いたレジスト膜、及び、パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-190109   出願人：富士フイルム株式会社