特許
J-GLOBAL ID:201603002851464089

プロトン伝導体および燃料電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 大野 聖二 ,  梅田 慎介 ,  片山 健一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-207235
公開番号(公開出願番号):特開2016-085967
出願日: 2015年10月21日
公開日(公表日): 2016年05月19日
要約:
【課題】プロトン伝導度を顕著に上昇させたプロトン伝導体の提供。【解決手段】第1のプロトン供与層20aは、表面にプロトン供与性官能基を有する層で、例えば、シリコン酸化物層で、前記プロトン供与性官能基がシラノール、リン酸、スルホン、チタノールである。第2のプロトン供与層20bも同様に、表面にプロトン供与性官能基を有する層で、例えば、シリコン酸化物層である。第1の基体10aの主面部及び第2の基体10bの主面部には表面負電荷が形成され、この負電荷が、ナノ流路に供給された水溶液中のプロトン伝導度を上昇させ、水溶液中では、水分子間のホッピングによるプロトン移動が拡散に寄与するが、基体(10a、10b)の主面に形成された負電荷が水溶液中のプロトンを引き寄せ、プロトン供与層(20a、20b)の近傍に形成される「高速移送領域」のプロトンの伝導が効率的になされ、プロトン伝導度が上昇するプロトン伝導体。【選択図】図1
請求項(抜粋):
主面に負電荷を形成する第1の基体と、 前記第1の基体の主面に設けられた第1のプロトン供与層を備え、 前記第1のプロトン供与層の厚みが20nm以下である、ことを特徴とするプロトン伝導体。
IPC (2件):
H01M 8/02 ,  H01B 1/06
FI (2件):
H01M8/02 M ,  H01B1/06 A
Fターム (6件):
5G301CD01 ,  5G301CE01 ,  5H026EE12 ,  5H026EE17 ,  5H026HH03 ,  5H026HH05
引用特許:
出願人引用 (6件)
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引用文献:
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