特許
J-GLOBAL ID：201603003068574137

半導体装置、及び半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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大原 宏樹

大原 宏樹 について

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佐々木 俊成

佐々木 俊成 について

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野田 耕生

野田 耕生 について

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桑原 秀明

桑原 秀明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-112799
公開番号（公開出願番号）：特開2016-174180
出願日： 2016年06月06日
公開日（公表日）： 2016年09月29日
要約：
【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部にチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層を形成する。酸化物半導体層の周縁部(側面を含む)を覆う酸化物絶縁層は、ゲート電極層と、その上方または周辺に形成される配線層(ソース配線層や容量配線層など)との距離を大きくし、寄生容量の低減を図る。酸化物半導体層の周縁部を覆う酸化物絶縁層は、チャネル保護層と同一工程で形成されるため、工程数の増加なく、寄生容量を低減できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電層と、第2の導電層と、第1の絶縁層と、酸化物半導体層と、第2の絶縁層と、第3の導電層と、第4の導電層と、第5の導電層とを有し、 前記第1の導電層は、ゲート電極として機能し、 前記第2の導電層は、ゲート配線として機能し、 前記第1の絶縁層は、ゲート絶縁層として機能し、 前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有し、 前記第2の絶縁層は、第1の領域と、第2の領域とを有し、 前記第1の領域は、前記チャネル形成領域と重なり、 前記第2の領域は、前記酸化物半導体層の側面を覆い、 前記第3の導電層は、ソース電極として機能し、 前記第4の導電層は、ドレイン電極として機能し、 前記第5の導電層は、ソース配線として機能し、 前記第2の導電層は、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層を介して、前記第5の導電層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/10
FI (9件)：
H01L29/78 612C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 627F ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/10
Fターム (103件)：
2H192AA24 ,  2H192BA25 ,  2H192BB02 ,  2H192BB13 ,  2H192BB53 ,  2H192BB64 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192CB71 ,  2H192CC04 ,  2H192CC22 ,  2H192DA12 ,  2H192DA42 ,  2H192EA22 ,  2H192EA43 ,  2H192EA67 ,  2H192FA65 ,  2H192FA73 ,  2H192FB02 ,  2H192FB27 ,  2H192GD14 ,  2H192GD25 ,  2H192JA13 ,  2H192JA33 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC14 ,  3K107CC33 ,  3K107CC35 ,  3K107EE04 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG35 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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