特許

J-GLOBAL ID：201603003306516337

スパッタリングターゲット

発明者： 尹 栄徳 ,  上田 健一郎 ,  安藤 俊之
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (4件)： 永田 元昭 ,  大田 英司 ,  西村 弘 ,  永田 良昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-104383
公開番号（公開出願番号）：特開2016-156097
出願日： 2016年05月25日
公開日（公表日）： 2016年09月01日
要約：

【課題】ターゲットのスパッタリングの際にパーティクル、スプラッシュ、ダスト等の粗大クラスタの発生を防止し、スパッタリングによって形成される薄膜の膜厚の均一性を向上したスパッタリングターゲットの提供を目的とする。【解決手段】純度が99.9質量%以上の銅を主成分としたスパッタリングターゲットであって、10ppm以下の硫黄(S)、及び、2ppm以下の鉛(Pb)を含有することを特徴とし、好ましくは、前記銅の純度が99.96質量%以上であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

純度が99.9質量%以上の銅を主成分としたスパッタリングターゲットであって、 10ppm以下の硫黄(S)、及び、2ppm以下の鉛(Pb)を含有することを特徴とする スパッタリングターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/285

FI (2件)：

C23C14/34 A ,  H01L21/285 S

Fターム (13件)：

4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA08 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC08 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4M104BB04 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• スパッタリングターゲット及びその製造方法ならびに半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-216350   出願人：同和鉱業株式会社
• 高純度銅スパッタリングタ-ゲットおよび薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-157331   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• 熱間加工性に優れた銅または銅合金鋳塊
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-331578   出願人：株式会社神戸製鋼所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 高純度銅の特性と用途