パワー半導体モジュール

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (3件)：青木宏義 , 天田昌行 , 岡田喜雅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-538290
特許番号：特許第5925328号
出願日： 2013年08月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】セラミック基板と、前記セラミック基板の一方の主面側に配置される半導体素子と、前記半導体素子に接続される複数の端子と、前記セラミック基板の他方の主面側に配置される第1の放熱部材と、前記セラミック基板の前記一方の主面側において、前記半導体素子から間隔をあけて配置され、放熱フィンと導体パターンを備えた絶縁性を有する放熱基板とから構成された第2の放熱部材と、を備え、前記複数の端子は、前記第2の放熱部材の放熱基板における導体パターンと接続されることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (3件)：